HCF40109BE

   通过紫外光电子能谱tUP9对AVⅡF/Alqs及Al/A‰界面电子结构进行分析发现,A砾的HOMo能级及真空能级的漂移是由ⅡF所致。在Al/Alq3和Al/LJ界面所测得的偶极分别为1.0eV、1.6eV,表明Lr内嵌于Alq3与Al之间,可以降低Al到Alq3的电子注人势垒。根据UPS对界面偶极分析结果,解释电子注人势垒降低的原因如图5.19(a)所示,由于Alq3与Al之间大小为I.0eV的电偶极的形成,使电子注入势垒由不形成偶极时的1.5eV降低到0.5eV,当内嵌ⅡF后,如图5,19(b)所示,界面偶极增大为1,6eV,因此电子的注人势垒为硐,1eV,即电子注人是能量有利方向,不存在注人势垒。

   水分子的存在,可降低铝功函数

   研究发现,铝的功函数会随着少量hF而戏剧化地下降。一种解释认为,在热蒸发过程中,水分子的存在使ⅡF解离,并在界面形成LiˉAl合金。另一种解释认为,由于水分子在Lf分子上的化学吸附,Al/LJ之间的界面形成大量偶极所致。但是最近的高分辨能量损失谱指出,在LJ/Al之间的界面不存在水分子,也没有LiF在铝界面的解离。LF在A蚝、ⅡF及Al共存下解离,是热力学可行的反应通过XPS、理论计算等研究,一些学者认为LF在Alq3、Al及LJ共同存在情况下发生解离,再与A‰反应生成Alq3自由基阴离子。由于总反应的生成自由能近似为零,反应是热力学可行的。