HEF4894BT

  利用图3.23(c)所示的红荧烯单晶,通过夹层黏合方法,可以制各不

同尺寸的场效应晶体管,其输出特性和转移特性见图3.23。从电流输出特性曲线,可以很好地分辨出电流的线性及饱和区域。该器件表现出常关态。随着栅电压的加载和增大,器件的饱和电流也增大。在漏电压非常 低时(图3,23嵌人图),所有栅电压下器件都表现出很好的线性关系,说明器件的界面为欧姆接触。通过不同器件的转移特性,可以看出所有器件都表现出类似的场效应迁移率0,3cm2/(V・sD和亚阈值电压漂移m,5±0.s,nF・Wdecade器件的饱和电流表现出随V/E比值增大而增大的特征。

    虽然利用稠环芳香化合物制各的单晶以及多晶薄膜可以得到相当可观的场效应迁移率,但是有机单晶/多晶比较脆弱,大尺寸生长困难,单晶的加工也较困难。在绝缘层上制各场效应晶体管半导体层的传统方法,如气相沉积和溶液加工,都很难应用于有机材料的单晶生长。同时,传统的加工方法也会破坏有机单晶的表面甚至导致晶体的碎裂。因此有机单晶/多晶场效应晶体管不适于大规模生产。另外稠环的芳香化合物对光敏感,在大气氛围内易于老化,这类化合物的真正应用潜能不大。