IRF540NPBF特点描述
发布时间:2019/2/21 10:19:27 访问次数:5285
IRF540NPBF特点描述
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:33A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.052ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:94W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:94W
器件标记:IRF540N
封装类型:TO-220AB
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:27A
电流, Idm 脉冲:110A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:1 g
2 d/tab
3 s
针脚配置:a
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
IRF540NPBF特点描述
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:33A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.052ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:94W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:94W
器件标记:IRF540N
封装类型:TO-220AB
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:27A
电流, Idm 脉冲:110A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:1 g
2 d/tab
3 s
针脚配置:a
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
上一篇：gbu606整流桥什么作用？
相关技术资料- 5-16相变存储器（PCM）技术Stellar P 和 G
- 5-16新一代可动态调整存储配置存储器应用详解
- 5-16第13代英特尔酷睿处理器工作原理
- 5-16CPU+GPU+NPU构成酷睿Ultra芯片
- 5-16CMOS图像传感器芯片应用前景分析
- 5-16HDR10 + 和 Dolby Vision 技术探究
- 5-15高性能全局快门图像传感器SC533HGS
- 5-15 I2C 接口 PmBUS 及 OTP/MTP 存储器
- 5-15处理器核心电源 Intelli-Phase（单片DrMOS）
- 5-15业界首款全自研高性能RISC-V服务器芯片
- 5-15数字恒定导通时间控制模式（COT）
- 5-15Power Management Buck/降压转换
公网安备44030402000607
