电路符号

   耗尽型MOs管也有N沟道和P沟道之分。耗尽型MOs管的外形与符号如图11-24所示。 P4500SA

   结构与原理

   P沟道和N沟道的耗尽型场效应管工作原理基本相同,下面以N沟道耗尽型MOS管(简称耗尽型NMOs管)为例来说明耗尽型MOS管的结构与原理。耗尽型NMOS管的结构与等效符号如图ll泛5所示。

   N沟道耗尽型绝缘栅场效应管是以P型硅片作为基片(又称衬底),在基片上再制作两个含很多杂质的N型材料,冉在上面制作一层很薄的二氧化硅(S⒑2)绝缘层,在两个N型材料上引出两个铝电极,分别称为漏极(D)和源极(S),在两极中间的二氧化硅绝缘层上制作一层铝制导电层,从该导电层上引出电极称为G极。