从某种意义上讲,目前htel公司所谓的量子阱场效应晶体管(QW FET)也是一种无结场效应晶体管。M24C08-RMB6TG鉴于高迁移率CMOS技术的重大应用前景,采用高迁移率Ⅱ⒈V族半导体材料替代应变硅沟道实现高性能CMOS的研究已经发展成为近期微电子领域的研究重点。

    近年来,ITRS也将高迁移率∏IV族化合物材料列为新一代高性能CMC)S器件的沟道解决方案之一。据Intel公司的预计及某半导体分析师的推断,htel公司有很大可能会在其10nm或7nm CMOS技术节点启用量子阱晶体管结构,采用铟镓砷(In。33GaO17As)作为N

型器件二维电子气沟道材料,采用锗作为二维空穴气P型沟道材料。该公司已经在硅晶圆衬底上制造出了一个原型器件,证明新技术可以与现有硅制造工艺相融合。图1.⒛给出Intel公司研究量子阱场效应晶体管的技术演进图[55Ⅱl]。

   为进一步提高量子阱场效应晶体管的性能,加强器件栅控能力、增强驱动电流以及提高\器件集成密度,我们提出了一种圆柱体全包围栅量子阱场效应晶体管,其器件结构。假设InGaAs半导体纳米线的直径为D,宽禁带InP半导体控制层厚度为,可以通过电荷控制模型以及逐级沟道近似得到圆柱体全包围栅量子阱场效应晶体管的⒈V关系。参考标准平面HEMT器件分析结果