【处理措施】K4H510638E-TCBO

   按照以上的分析及测试结果,在模拟电流地与数字地之间接旁路电容,值为111F。测试结果参。

   提醒一点:数字电路地与模拟电路地之间接111F旁路电容后的确使流入数字电路的共模电流增加,这同时也是对数字电路的一种考验,本案例中之所以对整体抗扰度有所提高也是因为光耦的敏感电平相对较低:在设计时,要统筹考虑.EMC设计不仅是一些规则的宣贯,也要对电路特性有较深的了解:

   【思考与启示】

    (1)相互光电隔离的数字地与模拟地之间建议采用电容连接,容值为1~10nF。

   (2)被隔离的地之间也要考虑地电位平衡。

   (3)开关电源中变压器初级线圈与次级线圈间,跨接电容,也是基于本案例同样的原理: