文章加入时间：2004年7月2日14:43:55

近日，TI公司推出新的高效率功率管理器件TPS5116,它组合了DC/DC开关模式控制器和线性低压降(LDO)调整器,以增加功率性能.这种高度集成的器件大大地降低了所有DDR系统如Micron的DDR和DDR II系统的功率管理外接元件.

TI的新的TPS51116集成了用来向Vddq加电的同步电流模式DC/DC控制器和用来向Vtt加电的3A LDO调整器以及一个缓冲基准电源Vref.完全和DDR和DDR II JEDEC标准兼容,完整的DDR电源解决方案由用于开关的电源和增加几个外接电阻和电容组成,作为比较,当今的系统则需要18个或更多的分立的功率管理元件.TPS51116有极好的轻负载效率,在10mA时Vddq的效率大于85%.高性能的LDO能提供峰值3A的电流源/沉,仅需要2x10uF的陶瓷输出电容.

TPS51116内的开关采用称之为D-CAP模式的技术,负载突变的瞬态响应时间100ns,大大地降低了外接输出电容的数量.D-CAP模式还省去了外接回路补偿.集成的LDO需要2x10uF陶瓷输出电容,由于降低了输入电压而大大地降低了系统中的功率损耗.能支持许多种设计类型,Vddq电压可以是可调的或固定在DDR的2.5V或DDR II的1.8V.

TPS51116的主要特性如下:

输入电压从3V到28V,
有100ns负载突变响应的D-CAP模式,
Vtt和Vref的精确度+/-20mV,
睡眠模式操作,用于输出放电时可选择关闭软起动,
Vtt仅需要2x10uF的陶瓷输出电容,
有热关断,功率良好,过压保护和欠压保护,
和DDR和DDR II JEDEC标语兼容.

除了高速集成的TPS51116,TI还推出10引脚MSOP封装的3A电流源/沉的调整器,特别用于低成本的空间受到限制的DDR和DDR II系统.TPS51100的特性和TPS51116有许多相同之处,包括2x10uF陶瓷输出电容和遥控传感功能.

TPS51116现已批量生产.器件是20引脚PowerPAD HTSSOP封装。（转自 中电网）