实现外延材料均匀沉积的关键是实现反应腔内均匀合理的流场和温场,并高效利用反应源。MOCVD反应室结构,必须围绕这个核心,实现如下几个关键的功能特点:RA07N4452M第一,要在反应室进气部分及反应室内部实现气体层流流动、避免或有效限制涡流。在高温和特殊气氛等复杂的反应环境中,层流有利于气源的均匀分布和材料的可控生长,而涡流会影响到外延层的厚度、组分和掺杂均匀性,更进一步,它会影响外延层界面陡峭程度、本底杂质、表面形貌,对整个LED的生长和电学及光学特性产生不利影响。这类问题可以从反应腔机械结构、形状尺寸以及热场两方面考虑如何优化,以便使流体畅通,并抑制涡旋。                     '

   第二,要实现良好的衬底温度均匀性,这是获得均匀外延层的前提。衬底的温度均匀性是由基座的温度均匀性来保证的。为使基座温度分布均匀,可以采用多区加热丝设计,并配合采用旋转基座等技术设计,同时也改善反应气源的分布均匀性。当生长异质结构时,有时需要在不同温度下进行生长,这时不仅需要保持在不同温度下的温度均匀性不变,还需要基座的热惯量小,以满足快速改变温度的需要。

   第三,优化气流分布,从而弥补源材料因预反应及沿程耗尽所造成的问题,以便在整个反应腔内各个反应区域都能实现外延层均匀生长,提高反应气源的效率和薄膜沉积的均匀性。