LED,即半导体发光二极管(hght Emitting Diodc),其发光的物理本质是对半导体pn结通电后, RA03M8087M电势驱动半导体材料中的电子与空穴复合而生成光子,从而实现半导体发光。

   不论是氮化物系列的蓝绿光LED,还是AlGaInP系列的红黄光LED,目前其大规模生产均主要采用MOCVD设备与技术。可说,MOCVD设备与外延生长技术是LED的基础和核心,是LED电学特性和光学特性的主要决定因素。

   本章前4节主要从MOCVD技术原理、设备设计、硬件配置、源材料特性和实际生产使用等角度,结合LED材料的外延生长工艺流程和特点进行基础性知识介绍。1.5节用专门篇幅详细介绍了LED外延材料几种主要的检测方法,包括高分辨X射线检测技术、光致发光测试技术(Phot01uminescncc)、霍尔(Hall)测试技术、电容电压(C-V)测试技术、原子力显微技术(AFM)和透射电镜(TEM)检测技术。这些检测技术考察的重点是LED外延材料表面形貌、晶体质量、材料结构、电学性能及发光特性等。