可编程逻辑器件的编程单元编程工艺可分为易失性和非易失性两种。 MAX1675EUA+T

   易失性编程单元:采用的是sRAM(静态随机存储器)结构,其特点是器件掉电后,编程信息丢失,现场可编程门阵列fFPGA)采用的就是这种类型。

   非易失性编程单元:采用的是熔丝型开关、反熔丝型开关、EPROM(Eras乩lC ProgrammableRead only Mcmory,电写入、紫外光擦除)、EEPROM(Elcc“cally Erasable Programmable Read onlyMemory,电写入、电擦除)、Flash(被誉为“快闪”)等3种工艺结构,其特点是编程信息可长期保存,在器件掉电后,编程信息仍不会丢失。

   非易失性PLD又可分为一次性编程oTP PLD和多次性编程Erasable PLD。

   一次性编程(olle Timc Programming,oTPl采用熔丝型开关、反熔丝型开关为编程单元。多次性编程采用的是利用绝缘栅场效应管栅极层中存储电荷,并使开启电压发生变化的浮栅结构。