一般指未通过参数性测试引起的失效,例如:额定操作电压V汨下芯片工作频率过低,静态(s变an山by)时功耗超出额定范围,等等。

   parametric失效,在空间分布上常有连续、渐进的OMAP1610F-ZZG图形特征(pattern)。同时,往往也对于某些器件参数非常敏感。

   如图17.11所示,从右往左看,当V1增加时,parametric失效增加,从binmap上町以很清晰地看过这种渐进过程。

   parametric的失效通常通过parametric的bin”eld(或wafer sort的原始数据)和器件参数(transistor的idsat,Vt,Ioff,Metal/Poly的Rs等)做相关性分析,可以找出原因,如图17.12所示。