环境和等待时问的影响
发布时间:2017/11/11 18:28:39 访问次数:405
抛光后的等待时间。Cu CMP结束后,如果晶片在普通净化室的环境中长久等待, QG88GWP铜的表面上会长出很多麻疹似的小颗粒,在铜线边缘尤为严重。这是由于铜在空气中的氧化形成的,此生长物的主要成分是氧化铜,它会随等待时间的增长而快速增多,严重的会造成金属线的短路,见图ll。⒛。抛光后应尽快覆盖上氮化硅保护层,等待时间最好控制在12~24小时之内。重新轻微抛光能去除此生长物,但会在铜线边缘形成空洞,严重的会造成金属线的断线。抛光后,将晶片放在氮气箱或真空中,能有效地阻止此生长物的形成。
抛光后的等待时间。Cu CMP结束后,如果晶片在普通净化室的环境中长久等待, QG88GWP铜的表面上会长出很多麻疹似的小颗粒,在铜线边缘尤为严重。这是由于铜在空气中的氧化形成的,此生长物的主要成分是氧化铜,它会随等待时间的增长而快速增多,严重的会造成金属线的短路,见图ll。⒛。抛光后应尽快覆盖上氮化硅保护层,等待时间最好控制在12~24小时之内。重新轻微抛光能去除此生长物,但会在铜线边缘形成空洞,严重的会造成金属线的断线。抛光后,将晶片放在氮气箱或真空中,能有效地阻止此生长物的形成。
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