通过本章学习您将能了解到CMP技术近年来的发展状况。本章通过CMP的几个重要应用OP213FS,阐述了CMP的要求、过程和原理,同时也解释了CMP对器件性能的影响以及新技术对CMP的挑战等。11.2节描述了STI CMP的演化过程,它从早期使用低选择比的硅胶研磨液,发展到当今使用高选择比的氧化铈研磨液;从开始需使用繁复的反向光罩工艺,发展到今天实现简单的直接抛光。这一部分也详细描述了氧化铈研磨液抛光和固定研磨粒抛光工艺的机理及方法,并比较了它们的优缺点。从0,13um到32nm/22nm技术,日益复杂的抛光材料,日益提高的抛光要求,(ru CMP技术在挑战中日渐成熟。11,3节洋细叙述了Cu CMP的研磨过程及机理,研磨液的设计要求及研磨液中各种成分的作用,也分析了CuCMP产生的缺陷及形成原因等。11.4节详细叙述了ILDO CMP和Al CMP在32/22nm技术形成高乃金属栅T艺中的应用,分析了它遇到的问题、产生的影响以及解决的方法等。11.5节也阐述了在PCRAM技术中GST CMP的应用以及所面临的挑战。