65nm和45nm以下湿法处理难点以及HKMG湿法

   在技术节点从90nm向65nm/45nm转变过程中,由于集成度的变化,对湿法清洗的主要影响是NiSi中Pt的引人,因为Pt相对Ni和别的硅化物金属较为惰性,W117SIP-1有关未反应NiPt合金的去除也极为挑战,详细回顾9.7节.

   15nm以下CMOS已进人半导体丁业的新时代,一方面是栅厚度缩小,带来较高栅漏电流,因而栅sO3电介质被新的材料替代:另一方面,多晶硅栅极显示对总栅介电层厚度有3~5A损耗作用;再者由于硼(B)的渗透.多晶硅也与PM()S的高泛介质不兼容i34」c解决这些问题的有效办法是用金属栅替代多品硅栅,这些高虍介质和金属材料引入逻辑CM()S的制造,将给湿法清洗带来很多不便和挑战。