在所用过的光刻的波长中,13.5nm可能不太容易被理解。从最初的g线、i线到当今的365nm、248nm和193nm,多少还是让人感到,我们是在做“刻”。由于193nm浸没式的O27.0-VX3MH-LF成功,157nm的项日已经终止。从157nm往下走已经没有什么好的光源,于是人们就找到了13.5nm的极紫外光。光刻机所用的光谱图如图7,109所示。

  极紫外(EUV)光刻机由以下几个部分组成:

   光源:高电压激励的等离子体放电灯(r,lschargc Produced Plasma,DPP)或者激光激励(I'aser Produccd Plasma,I'PP)的等离子体放电灯和反射式光收集镜片组。

   光刻机主体:包括反射镜组(遇常为6片0.25NA)、主真空腔体(真空度<10:)、磁悬浮硅片平台、掩膜版平台、平台驱动装置、硅片输送装置等。在~9007年,阿斯麦公司推出了埃尔法验证机(Alh Demo T。o1.AI)T)。如图7.110所示「~T。其基本性能指标为

   数值孔径:0.15~0.25

   套刻精度:12nm

   照明均匀性:修正前5.5/(从硅片平台测得).修正后<0,5%(3倍标准偏差)杂光:<16%.[规格<8/1