改进气泡的问题需要从源头上阻止气泡的产生,如阻止空气在浸没使用的超纯净水中的过量溶解。 V52C4258K70还有,如果在快速扫描时(通常最快速度可以达到600~700mm/s)产生了气泡,需要通过真空系统将其抽除。通常这样的真空抽吸装置存在于水罩上和硅片平台(wafer table)边缘。

   衬底上的引人的缺陷一般会造成硅片表面突起,引起涂胶(包括光刻胶和抗反射层)不良。此种缺陷一般为颗粒。这种颗粒可以是从前层工艺带来的。例如,干法刻蚀(等离子体刻蚀)中,从腔体内表面掉下的颗粒或者片状物(flakes),也可以是物理气相沉积(PhysicalVapor Deposition,PVD)工艺带来的颗粒等。

   缺陷的检测一般通过紫外光对硅片表面做成像,并且通过一定方式的比较来得到。缺陷在硅片上的分布分为周期性和非周期性分布。周期性分布一般指在每一个曝光区域(shot)或者芯片区域(die)的固定地方都出现。而非周期性的分布一般并不固定出现在硅片的某一区域,他可以以硅片圆心为对称点,呈中央一四周分布,也可以偏向硅片某一边缘,如缺口(n。tch)附近。对于非周期性的缺陷,如果每一个曝光区域中有不止一个相同的芯片区域,那么,可以通过比较两个芯片区域的不同点来得出缺陷的位置。这种方法叫做“芯片和芯片”比较(dieto die∞mparison)。如果每一个曝光区域只有一个芯片,那么缺陷的检查要么通过图形大小、形状的甄别,要么通过同设计图样的比较,所谓的“芯片和数据库”比较(die to database∞mparison)。对于现代光刻工艺来讲(<0.25um),由于受到衍射的影响,这种比较方法必

须考虑到设计图形经过衍射成像后的变化。如图7.51(a)、图7.51(b)所示,图中的线端明显变圆。