底部内切(undercut):与底部站脚相反,内切是由于光刻胶底部的酸性较高,底部的去保护反应比其他地方的高。解决的思路正好同上面的相反。RLF7030T-3R3M4R1

   T型顶(t-topping):T型顶是由于工厂里面的空气中含有碱性(base)成分,如氨气、氨水(ammol△h),胺类有机化合物(ami【△e),对光刻胶顶部的渗透中和了一部分光酸,导致顶部局部线宽变大,严重时会导致线条粘连。解决方法是严格控制光刻区的空气的碱含量,通常要小于⒛ppb(十亿分之一),而且尽量缩短曝光后到后烘的时间(post exposureDelay)。

   顶部变圆(top roumding):一般由于在光刻胶顶部照射到的光强比较大,而当光刻胶的显影对比度不太高时,这部分增加的光会导致增加的溶解率,于是造成顶部变圆。线宽粗糙度(linewidth roughness):线宽粗糙度前面已经讨论过。 高宽比/图形倾倒(aspect ratio/pattern∞llapse):高宽比之所以被讨论是由于在显影过程中,显液、去离子水等在显影完了后的光刻胶图形当中会产生由表面张力形成的横向的拉力,如图7.39所示。对于密集图形,由于两边的拉力大致相当,问题不是太大。但是,对于密集图形边缘的图形,如果高宽比较大,便会受到单边的拉力。加上显影过程当中较高速旋转的扰

动,图形可能发生倾倒。实验表明,一般高宽比 在3:1以上会比较危险。

  底部残留(scumming):底部残留原因一般为底部光刻胶对光的吸收不够,而造成的部分显影现象。为了提高光刻胶的分辨率,需要尽量减少光酸的扩散长度,而由于光酸扩散带来的空间显影均匀化便减少了。这样,空间的粗糙程度加大了。底部残留一般可以通过优化照明条件、掩膜版线宽偏置(mask bias),以及烘焙温度和时间,以提高空间像对比度,提高单位面积的曝光量来减少。