与传统的PVD相比较,ALPs主要有三个方面的改进以增强台阶覆盖率和降低不对称性。OPA129UB

   (1)增加硅片和靶材之间的距离(lo呷through),使从靶材上溅射出来的大角度的粒子沉积到反应腔的侧壁上,只有小角度的粒子可以到达硅片表面。

   (2)降低反应压力(low prcssure),压力越低,气体分子的平均自由程会越大,粒子的碰撞概率降低,这样可以确保更具有方向性的沉积。

   (3)在硅片和靶材之问安装基环(ground ring),如图6.15(a)所示。基环可以将一些大角度的粒子过滤,确保到达硅片表面的都是小角度的粒子,以增加阶梯覆盖率和降低不对称性。当制程发展到45nm时,线宽进一步缩小,AI'PS不再满足阶梯覆盖率和不对称性的要求,此时,需要对ALPS进行改进,采用ALPS ESI(Extend⒐licide Integration),用聚焦环(focus hng)替代基环,见图6.15(b)。