氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是两种在CMOS工艺中广泛使用的介电层薄膜。TAS5342DDV氧化硅薄膜可以通过热氧化(thermal°xidation)、化学气相沉积(chemical vapor dcposition)和原子层沉积法(Atomic I'ayer Deposition,AID)的方法获得。如果按照压力来区分的话,热氧化一般为常压氧化I艺,常见的机器有多片垂直氧化炉管(oxlde ftlmace,TEI'或KE),快速热氧化(Rapid Thermal Oxidati°n,RTO,应用材料公司)等。化学气相沉积法一般有低压化学气相沉积氧化(I'ow Pressure Chemical Vapor Dcposition,LPCVD,TEI'或KE)工艺,半大气压气相沉积氧化(Sub atmosphehc Pressure Chemical Vapor

Deposition,SACVD,应用材料公司)工艺,增强等离子体化学气相层积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition,PECVD,应用材料公司)等,常见的机器有多片垂直氧化沉积炉管(TEI',KE),单片腔体式的沉积机器(应用材料公司)和低压快速热退火氧化机器(应用材料公司)。原子层沉积法获得的氧化膜也是一种低压沉积,在45nm以上的工艺中采用比较少,但在45nm以下工艺技术中开始大量采用,主要是为了满足I艺的阶梯覆盖率的要求。常见的机器有多片垂直原子层沉积氧化炉管(TEI',KE),单片腔体式的原子沉积机器(应用材料公司)。