金属-1的形成(单镶嵌)
发布时间:2017/10/14 11:13:52 访问次数:816
这之后沉积金属间介质层(IMD),例如⒊CN(300A)含碳低乃PECVD氧化硅(2kA)和Te°s°妊dc(250A),并进行图形化(使用掩模meta⒈1)和氧化物刻蚀。IMD1层主要是为了良好的密封和覆盖更加多孔的低乃介质。然后沉积Ta/TaN和铜种子层,随后填充铜(通过ECP法)并用CMP进行平坦化。金属1互连就形成了。这是单镶嵌技术E13],见图3,12。 R1EX24512BSAS0A
M1rsingle~DamascenΘ∶IMDl dcp,Mask(Ml》lMDl etch;TaN/勹Γ〃Cu seed;Ctl plating;CMP; 图3.12 通过单镶嵌技术实现金属的图解
这之后沉积金属间介质层(IMD),例如⒊CN(300A)含碳低乃PECVD氧化硅(2kA)和Te°s°妊dc(250A),并进行图形化(使用掩模meta⒈1)和氧化物刻蚀。IMD1层主要是为了良好的密封和覆盖更加多孔的低乃介质。然后沉积Ta/TaN和铜种子层,随后填充铜(通过ECP法)并用CMP进行平坦化。金属1互连就形成了。这是单镶嵌技术E13],见图3,12。 R1EX24512BSAS0A
M1rsingle~DamascenΘ∶IMDl dcp,Mask(Ml》lMDl etch;TaN/勹Γ〃Cu seed;Ctl plating;CMP; 图3.12 通过单镶嵌技术实现金属的图解
相关技术资料- 10-14金属-1的形成(单镶嵌)
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