对于导电材料的填充技术,PT7C4337WEX早期的金属沉积工艺采用物理气相沉积(Physical VaporDepositi°n,PVD)I艺。但是,PVD技术的填充能力和台阶覆盖能力都比较弱。为解决上述问题,化学气相沉积(CVD)技术在接触孔钨栓填充上得到应用。在I艺优化后,CVD技术能够提供保型沉积,这意味着比PVD技术更为优越的填充能力。当集成电路T业引人铜互连技术后,不论PVD还是CVD技术都不能满足其填充能力的要求。研究发现,电化学沉积(ECD)技术能够提供更为优越的填充技术以满足铜互连技术中的挑战。ECD技术因为其工艺具备自下而上(bottom up)的特点,因而具有更为优越的填充能力,对于高深宽比的间隙来说,这是一种理想的填充方式。在最近发展的替代栅工艺中,金属沉积将面临一些新的技术挑战。