一对N沟道和P沟道MOS管以推挽形式△作,构成互补的金属氧化物半导体器件(Complemexltary Metal C)xide Semi∞nductor,CMOS)。其组成的反相器基本电路单元所实现一定逻辑功能的集成电路称为CMC)S电路。OB2542MP其特点是:①静态功耗低,每门功耗为纳瓦级;②逻辑摆幅大,近似等于电源电压;③抗干扰能力强,直流噪声容限达逻辑摆幅的35%左右;④可在较广泛的电源电压范围内工作,便于与其他电路接口;⑤速度快,门延迟时间达纳秒级;⑥在模拟电路中应用,其性能比NM(DS电路好;⑦与NMOs电路相比,集成度稍低;⑧有“自锁效应”,影响电路正常工作。图1.8为当代先进CM()S器件结构示意图。