预淀积

   (1先用陪片确定预淀积工艺条件。陪片摆放在硼 TAS5706PAPR源两侧,推人扩散炉975℃恒温区,氮气流量为0.5L'/mh,时间在15min左右。

   (2)取出的陪片漂掉硼硅玻璃(腐蚀液:HF:叱O=1:10)。测方块电阻,若阻值在之间,即合格,若方块电阻,应缩短预淀积时间,若方块电阻),应延长预淀积时间,直至合格。

    (3)以陪片合格的工艺条件对正片进行预淀积扩散。正片在石英舟上摆放时,放置在BN源片的两侧,光刻窗口与BN源片相对,间距均匀一致;匀速缓慢地将石英舟推人扩散炉恒温区,进行预淀积。

   (4)预淀积时间一到,立即将石英舟匀速、缓慢地拖至炉口;停炉,停气。

   漂硼硅玻璃

   (1)预淀积之后的正片在HF:H20腐蚀液中漂基区窗口的硼硅玻璃,漂至硅片背面不挂水,时间大约8s,放人超纯水中。

   (2)用冷、热超纯水反复漂洗硅片,至清洗干净,放在超纯水中待用。

   再分布

   (1)再分布扩散的同时进行二次热氧化。

   (2)用漂过硼硅玻璃的陪片来确定再分布工艺条件。陪片推人1170℃恒温区,调整时间在5mh干氧940min湿氧98rl,ln干氧左右。

   (3)取出陪片,用HF:炖O=卜1的腐蚀液去除氧化层。测方块电阻,当阻值在⒛~100σ□时,合格。

   (4)以陪片工艺条件进行正片的再分布。将正片缓慢推人恒温区,进行正片硼再分布。

   (5)再分布时间一到,立即将石英舟匀速、缓慢地拖至炉口;停炉,停气。