(l)分析测量误差的来源。

   (2)光学干涉法测量薄膜厚度的极限精度能达到多少?

   光刻腐蚀基区

   光刻腐蚀是一种复印图像同化学腐蚀相结合的综合技术。在此,光刻是将光刻版上基区图形精确地复印在氧化层表面的光刻胶上;然后,TAS5112ADCA利用光刻胶的掩膜作用,对氧化层进行选择性化学腐蚀,从而在氧化层卜得到基区图形(工艺原理略)。

   工艺设备与工艺条件

   工艺设备:接近式紫外光刻机,旋转涂胶机,金相显微镜,烘箱。

掩膜版、胶:光刻版为金属铬版,基区掩膜图形如图肛5所示(注意:如光刻版为正版时,光刻胶也应为正胶),正胶。

   试剂:显影液(可自行配置),定影液,98%H2S04,HF,NH1F。光刻条件:干燥,温度120℃、时间30min;前烘,温度90℃、时间10min;曝光,时间40s;后烘,温度140°C,时间30mlll。

   工艺条件应视具体使用的光刻设各、光刻胶、光刻版给出初始∷条件,再由陪片进行工艺摸索后确定。