(1)设定高温氧化炉炉温为1180°C,升温至1180℃,通人氧气1Vmin,设定控温仪温度为98℃,加热升温。

   (2)通入氧气约10min后,将清洗TAS3218IPZP好的硅片和陪片从超纯水中取出,直接摆放在石英舟上,先在氧化炉炉口干燥,然后将石英舟缓慢送至氧化炉的恒温区进行氧化。.

   (3)计时,干氧,10min之后,换成湿氧,50min之后,再换成千氧,完成氧化。

   (4)缓慢地将载有硅片的石英舟从炉内移至炉口,取出。

   (5)查看硅片外观、颜色及颜色的均匀性,用陪片检测氧化层厚度。

   思考题

   (1)湿氧氧化,水浴温度怎样影响氧化膜厚度?为什么?

   (2)在进行热氧化操作时应怎样防止Na+沾污?

   (3)掺氯氧化的目的是什么?如果是掺氯氧化应注意哪些事项?

   (4)氧化层太薄,针孔密度过大,或严重沾污对晶体管性能有什么影响?

   (5)硅片推人高温氧化炉或从炉内拉出,为何要缓慢进行?