硅片的一次清洗采用典型的RCA清洗法,程序为:去油污→去离子→去原子。

   硅片表面有机杂质的去除

   依次用甲苯、丙酮、 TAS3001CPW无水乙醇棉球沿同定方向擦拭硅片表面,先擦背面再擦正面,去除有机油污。如果硅片表面有蜡脂或有机物污染严重,可采取依次使用甲苯、丙酮、无水乙醇进行超声波清洗。甲苯、丙酮、乙醇均是有机物溶剂,对有机油污的溶解能力:甲苯>丙酮)乙醇。试剂自身的溶解能力:甲苯能溶于丙酮,难溶于乙醇,丙酮能溶于乙醇难溶于水,乙醇能溶于水。

    注意:考虑去油污能力,以及避免去污溶剂带来的新污染,甲苯、丙酮、乙醇的清洗顺序不能颠倒。

   硅片表面无机杂质的去除

   将已擦拭好并晾干的硅片置于石英花篮上。依次用配好的半导体 工业专用洗液DZ-1、DZ 2超声波清洗各约81・・1n。洗液配比:DZ 1(或DZ-2):超纯水≈⒈9,用量以没过硅片为准。DZ△、DZ-2超声波清洗之间和之后,分别用冷、热超纯水反复漂洗数遍,直至漂净洗液的泡沫为止。

   如果采用酸碱洗液,先用I彡碱性洗液超声清洗约8min,用去超纯水反复煮沸清洗,再用冷、热去超纯水反复冲洗数遍。然后用Ⅱ=酸性洗液同样清洗。用酸、碱洗液进行清洗一定要注意安全,废液应回收。清洗好的硅片直接用于下一步一次氧化。