偏置条件的确定

   总剂蚩辐照过程屮器件的偏置条件是影响器件总剂量辐照损伤关键因素之一。器件的偏置条件决定了氧化:中的电场的强度和方向,氧化层中的电场的强度和方向影响着辐射感生电子一空穴对的分离(或初始复合率)和运动方向及速度(迂移率),从而影响着氧化物陷阱电荷和界面态的产生,最终影响器件的电离总剂量辐照损伤的大小。

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   总剂量试验标准中对辐照过程器件的偏置条件的规定如下:“辐照过程巾器件加最劣偏置条件,或施加代表器件实际工作状态的偏置条件。”对大规模集成电路来说,确定器件的总剂量辐照最劣偏置条件往往是非常困难的,而日.结构不同的器件的最劣偏置也不同。因此,在进行总剂量辐照时,需要进行大量的摸底试验或仿真分析试验以确定器件的最劣偏置条件。

   另外,选择的负载应使器件结温上升少,以防止辐射退火效应的发生。