为了降低收集极串联电阻,需要制备重掺杂的n型接触。进行第三次光刻,刻蚀出M1MA142WKT1G收集极掺杂窗口,注入(或扩散)磷,退火激活。

   基区的形成

   第四次光刻,刻出基区,然后注入硼,并退火使其扩散形成基区。由于基区的掺杂及其分布直接影响着器件的电流增益、截止频率等特性,因此注人硼的能量和剂量需要加以特别控制。

   发射区的形成

   在基区生长一层氧化层,进行第五次光刻,刻蚀出发射区,进行磷扩散和砷注人,并退火形成发射区。

   金属接触和互连

   淀积二氧化硅后,进行第六次光刻,刻蚀出接触孔,用以实现电极的引出。金属形成欧姆接触和互连引线。随后进行第七次光刻.形成金属互连。