不同晶向的衬底单晶硅由于表面悬挂键密度不同,生长速率也呈现各向异性。 KRC102S-RTK热氧化是氧化剂与硅的氧化反应,衬底硅的性质对氧化速率也有影响。单晶硅各向异性。不同晶向的衬底,氧化速率略有不同。氧化速率与晶向的关系可用有效表面键密度来解释,主要是因为在氧化剂压力一定的情况下,s/s02界面反应速率常数取决于⒊表面的原子密度和氧化反应的活化能,对化学反应速率常数虑、有直接影响,所以线性速率常数B/A强烈依赖于晶向,而抛物型速率常数B则 温度的关系(l torr=133,3Pa) 与晶向无关。图415所示为硅不同晶向的氧化速率。

   结果表明,在适当温度下,[111彐晶向硅的B/A值为匚100彐晶向硅的B∷A值的1,68倍,E110彐晶向硅的B/A值为E100彐晶向的1.45倍,这与在匚11l彐面上的硅原了密度比「100彐面上的硅原子密度大有一定关系,但是氧化速率并不是简单地与硅表面的⒏―⒏键密度成正比,即不是简单地与硅表面原子密度成正比。表43所示是水汽压力为85kPa时的硅的氧化速率常数,从中我们得到不同温度下的

A、B、B/A值.以及[111彐晶向硅的B/A值与E1∞]晶向硅的B/A值之比。为了解释线性速率常数与硅表面晶向的关系,有人提出了ˉ个模型。根据这个模型,在二氧化硅中的水分子和⒏/SiO2界面的s―⒊键之间能直接发生反应。在这个界面上的所有的硅原子,一部

分和上面的氧原子桥联,一部分和下面的硅原子桥联,这样氧化速率与晶向的关系就变成了氧化速率与氧化激活能和反应格点的浓度的关系了。在s闷Q界面上,任何一个时刻,并不是处于不同位置的

所有硅原子对氧化反应来说都是等效的,也就是说不是所有硅原子与水分子都能发生反应生成so。