在⒛世纪50年代初由Keck和ThetIler研究小组分别提出了悬浮区熔法。最初, KA1458DTF(LF)悬浮区熔法是作为一种硅的提纯技术被提出的,随后这种技术就被应用到单晶生长中,发展成为制各高纯度硅单晶的重要方法。

  悬浮区熔法(简称区熔法,记为FZ法)是一种无坩埚的硅单晶生长方法,悬浮区熔装置示意图如图⒉8所示。多晶硅锭与单晶硅锭分别由卡具夹持着反向旋转,由高频加热器在多晶与单晶连接之处产生悬浮的熔融区,多晶硅锭连续地通过熔融区并熔化,在熔体/晶体界面处转化为单晶。在区熔法制备单晶装置中,给多晶硅锭加热的高频线圈内通有大功率射频电流,射频功率激发的电磁场在多晶硅中引起涡流,产生焦耳热,通过调整线圈功率,使多晶硅锭近邻线圈部分熔化,产生悬浮熔区,由于硅表面张力较大,且密度较低,只要保持表面张力与重力之间的平衡,熔区就能稳定不脱落。在旋转的同时,熔区通过多晶硅锭,而熔体硅冷凝再结晶形成了单晶硅。实际上,可以看成是多晶/熔体/晶体两两相界面的推移实现了单晶的生长。