常用的多层金属薄膜多采用P、①I艺制备。有些场合的氧化物薄膜,或者难熔硅化物薄膜,以及PMBD7000其他以C、0方法难以制备的薄膜也都采用P`0工艺制备。

   多层金属

   单层金属无法满足器件与集成电路的内电极和互连布线要求时,常采用多层金属。可以根据需要来确定金属薄膜的层数。各层的主要作用如下。欧姆接触层是指能与衬底形成良好欧姆接触的金属层。欧姆接触层一般只有几百埃厚,常用金属有钛(△)、铂(Pt)、铝(Al)、镉(Cd)、锆(Zr)等。

   黏附层是当欧姆接触层与硅和二氧化硅之间的附着性不好时,还需要在欧姆接触层与硅和二氧化硅之间先淀积一层黏附层。黏附层也只需几百埃厚。常用金属有钛(△)、铬(⒍)、铝(Al)、锆(Zr)等。

   过渡层就是阻挡层,是用来阻挡上层金属扩散进人硅和二氧化硅,形成硅化物;或者阻挡上下两层金属互扩散产生高阻物的阻挡层。过渡层金属应与硅之间的合金化温度高,和上下两层都不产生高阻物,且致密度高无针孔,厚度在100~~’O0nm之间。常用金属有钯(Pd)、钨(W)、钼(Mo)、镍(№)及镍铬合金(NlCr)。

   导电层的电阻率应低,抗电迁移性能要好,理化性质稳定,容易压焊引线,导电层厚度约1um。常用金属有金(Au)、铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)等。