这一反应控制衬底温度低于450℃,H2过量。此时,钨薄膜的生长速率由表面反应速率控制,W在衬底的二氧化硅或氮化硅表面不能成核,特别是温度较低时。 ACT8847QM147-T只在衬底的硅、金属及硅化物表面成核,从而有选择地生长形成钨薄膜。

   选择淀积钨尽管有许多优点,但由于选择性较差以及对衬底造成损伤等问题没有完全解决,因此选择性C、0-W还没有得到广泛的采用。覆盖淀积,如果衬底表面没有二氧化硅或氮化硅这类钨原子难以成核的部分,可直接用WF6/II2作为反应剂,采用LPCVD方法在整个衬底上淀积覆盖式钨膜。但通常硅衬底已进行了多个I艺操作,部分表面已有氧化层,这时进行覆盖淀积比选择淀积更复杂,首先要在衬底上淀积一层附着层,如TN,然后在附着层上再淀积钨膜c覆盖淀积用来还原WF6的除了H2之外,还使用⒏H1。用WF6/SiH1淀积能在更多种材料表面上形成钨膜,如在TiN上成膜。必须注意淀积过程中WF6必须过量,否则得不到钨膜,而是生成Ws辶薄膜,衬底温度约为300℃。

    钨薄膜的应力较低,一般低于5×104N/cm2,具有很强的抗电迁移能力。金属薄膜通常是多晶态,金属离子在晶粒内部规则排列,在晶界上存在空位等大量缺陷,基本是无序状态。当不存在外电场时,金属离子可以通过空位而变换位置,即自扩散运动。自扩散的结果并

不会产生质量输运。当有电流通过金属导体时,由于电场的作用使得金属离子产生了定向运动,特别是在晶界上。金属离子的定向迁移在局部区域由质量堆积而出现小丘或晶须,或由质量亏损出现空

洞,从而造成互连性能退化或失效。这称之为金属的电迁移现象。因此,金属薄膜的抗电迁移能力是其重要的性能指标。

   另外。当温度超过400°C时,钨薄膜会被空气中的氧气所氧化。温度高于600℃时,钨与硅接触会形成钨的硅化物。