日前,CVD―W采用的工艺方法为冷壁式低压工艺。可以采用的钨源主要有WF6、WC坛和W(CO)6。 ACT8846QM490-T其中,WF6使用最多,其沸点为17℃,直接输人C`0反应器可以精确控制流量,输气管道需要加热保温,以防止WF6的凝聚。WC16的熔点为275℃,在室温下,WC16和W(CO)6一样,都是高蒸气压的固体。

   以WF6为钨源,采用冷壁式LPC飞'D工艺制备钨薄膜的方法有两种――选择淀积和覆盖淀积。选择淀积,衬底温度约为300℃,WF6与衬底表面裸露的⒏发生还原反应,而有氧化层或氮化硅的区域不发生反应。硅表面要相当洁净,自然生长的本征氧化层厚度必须小于1nm,每生成一个单位体积的W,大约消耗两个单位体积的⒊,反应的副产物sF4以气体形式被排出。当淀积的薄膜厚度达到10~15nm时,WF6就很难以扩散方式穿过钨薄膜,反应自动停止。

  钨薄膜与二氧化硅、氮化硅的附着性能不好,在衬底表面是二氧化硅、氮化硅的地方不能成膜。而钨薄膜与硅、金属以及硅化物附着性能良好,在衬底表面是硅、金属及硅化物的地方可以成膜。此外,选择淀积还可以用H2还原WF:,在衬底进行选择淀积。