闭管扩散与开管扩散设各相同,只是炉管封闭,其特点是把杂质源和将要扩进杂质的衬底片密封于同一石英管内,因而扩散的均匀性、重复性较好, R1224N102H-TR-F扩散时受外界影响小,在大面积深结扩散时常采用这种方法。由于密封,还能避免杂质蒸发,对扩散温度下挥发剧烈的材料最适用(如向GaAs中的扩散)。

   此法的缺点是工艺操作烦琐,每次扩散后都要敲碎石英管,石英管耗费大。另外,每次扩散都要重新配源,同时必须考虑炉管内压力问题。闭管扩散目前很少采用,这里不再详述。

   箱法扩散

   把杂质源和硅片装在由石英或者由硅做成的箱内,在氮气或氩气的保护下进行扩散。杂质源可以焙烧在箱盖的内壁,或者放在箱内,其源多为杂质的氧化物。在高温下,杂质源的蒸气充满整个箱内空间,并与硅表面反应,形成一层含有杂质的薄氧化层。杂质由氧化层直接向硅内扩散。箱法扩散的硅表面浓度基本由扩散温度下杂质在硅中的固溶度决定,均匀性较好。为了保持箱内杂质源蒸气压的恒定和防止杂质源大量外泄,要求箱子具有一定的密封性。冈为氧化物杂质源的吸水性较强,如果两次扩散相隔时间较长,那么在扩散之前要对源进行一次脱水处理,即在一定温度下,由惰性气体保护进行一定时间的热处理。这种方法只要箱体本身结构好,源蒸气泄漏率恒定,既具有闭管扩散的特点,也具有开管扩散的优点,且有工艺成熟、简单的优点,所以双极型集成电路的埋层扩散普遍采用箱

式锑扩散。但是也存在扩散时间长、效率低的缺点。但它比闭管扩散前进了一步,不用每次敲碎石英管。