用掺杂的氧硅烷作为源,进行低温淀积,在硅片表面⊥淀积一层掺有某种杂质(如硼或磷)的氧化层。 R1224N502M-TR-FE以此掺杂氧化层作为扩散杂质源,在高温下(N2为保护气氛)向硅中扩散,以达到一定的杂质浓度分布和结深。当氧化层较厚、温度一定时,表面浓度只和氧化层掺杂程度有关,结深只和时问有关。氧化层掺杂数量可在淀积氧化层时在很宽的范围内加以控制,囚而能方便地控制扩散层的表面浓度和扩散结深。另外,它减少了预扩散这一高温处理步骤,有利于减少缺陷和杂质沾污。但其△艺不够成熟,重复性较差。

   涂源法扩散

   把溶于溶剂中的杂质源直接涂在待扩散的硅片表面,在高温下由惰性气体保护进行扩散。溶剂一般是聚乙烯醇,杂质源一般是杂质的氧化物或者是杂质的氧化物与惰性氧化物(如Si02、BaO、CaO)的混合物c当溶剂挥发之后就在硅表面形成一层杂质源。这种扩散方法的表面浓度很难控制,而且又不均匀。

   杂质源选择

   随着集成电路制造工艺的发展,杂质源的种类越来越多,每种杂质源的性质叉不相同,在室温下又以不同相态存在,囚而采用的扩散方法和扩散系统也就存在很大的区别。扩散根据杂质源所处状态的不同叉可分为气态源扩散、液态源扩散和固态源扩散二种。扩散时用哪种形式的杂质源,要根据所采用的扩散方法、杂质源的蒸气压大小和控制的难易程度等来确定。