硅中点缺陷与掺杂原子之间的相互作用对杂质扩散会产生影响。第一类要MAX8550ETI+T考虑的点缺陷是由于硅中存在其他原子(杂质原子)而产生的缺陷。一个位于品格上的杂质原子称为替位杂质,即使不小

于也不大于硅原子,也会对周期晶格产生局域扰动。任何对周期晶格形成的扰动都称为“缺陷”。同金属情况不一样,在半导体中的点缺陷是荷电的。例如,在硅晶体中存在空位会产生4个不饱和的键,这些键接受电子而使其饱和。因此,空位的电行为趋向于类受主c原则上,在禁带内可能有4个能量一个比一个高的能级。类似地,在硅中,问隙原子有类施主行为。

   在硅集成电路制造中常用的掺杂原子主要以替位形式存在、而且是浅能级杂质.因此在室温下基本会全部电离,也就是说或者向导带贡献一个电子,或者向价带贡献一个空穴。既然掺杂原子(离子)

是带电的,那么它们一定会与其他荷电体(如晶格点缺陷、自由载流子)本目互作用,也必然会对扩散产生影响。

    为了说明荷电缺陷对半导体中杂质扩散的影响,研究涉及空位的替位扩散情况。假设除了中性空位V。空位还能看成为分别是带一个正电荷、一个负电荷、两个负电荷和工个负电荷的空位。这些空位同扩散杂质离子的相互作用是不同的。对于每一种杂质一空位的复合体,将有不同的激活能和扩散常数。假如每种复合体是独立的,在本征条件下,扩散系数可表示为本征扩散系数;为非本征条件下各种荷电空位的原子百分率;为本征条件下各种荷电空位的原子百分率。空位运动的扩散系数和激活能都与空位的荷电状态有关。