再分布后的硅表面附近的杂质浓度,只与杂质的分凝系数、杂质在⒊Q中的扩散系数与在硅中扩散系数之比以及氧化速率与杂质的扩散速率之比3个因素有关。OP6180-1-IBAG前两个因素对再分布的影响已经讨论,本节主要讨论氧化速率与扩散速率之比对再分布的影响。

   图⒋25所示是热氧化后硅片中磷的表面浓度,它代表的含义是均匀掺磷的硅片,经无掺杂的干氧和水汽氧化之后,硅表面浓度Cs与硅内浓度咣之比随氧化温度变化关系的计算结果,其中磷的分凝系数按10计算。由图可见,在一定温度下,快速的水汽氧化比慢速的干氧氧化所引起的再分布程度大,即水汽氧化的Cs/硗大于干氧氧化。这是因为氧化速率越快,在一定时间内加人分凝的杂质数量就越多,又因磷在⒊O2中的扩散速率很低,损失较小,所以造成表面浓度增大。同时还可以看到,在同一氧化气氛中,氧化温度越高,磷向硅内扩散的速率就越快,因而减小了在表面的堆积,所以Cs/G下降,表面浓度Cs趋于G。