杂质在s02中的扩散,如果扩散系数大,则杂质迅速地通过⒏O2扩散,影响s/si()2界面附近的杂质分布。ONET8501VRGPT扩散速率与界面移动速率之比,也会影响⒏/Si()2界面杂质分布;而杂质在so层中及表面的逸散造成杂质在⒏/SK)2界面及⒊O2表面处分布状况也较为复杂。综其影响,4种不同的杂质再分布情况如图⒋2迮所示:K(l,在Sl02中是慢扩散的杂质,也就是说在分凝过程中杂质通过sO2表面的损失很少,硼就是属于这类,再分布之后靠近界面处的⒏O?中的杂质浓度比s中高,硅表面附近的浓度下降,如图⒋2砼(a)所示;Κ<l,在⒏O?中是快扩散的杂质,因为大量的杂质通过⒊02表面跑到气体中去,杂质损失非常厉害,使sO2中的杂质浓度比较低,但叉要保证界面两边的杂质浓度比小于1,使硅表面的杂质浓度几乎降到零,如图⒋~90(b)所示,在H2气氛中的硼就属于这种情况;Κ>1,在sC先中慢扩散的杂质,再分布之后硅表面附近的杂质浓度升高,如图⒋24(c)所示,磷就属于这种杂质;K)l,在sC先中是快扩散的杂质,在这种情况下,虽然分凝系数大于1,但囚大量杂质通过sQ表面进人气体中而损失,硅中杂质只能不断地进人⒏0中,才能保持界面两边杂质浓度比等于分凝系数,最终使硅表面附近的杂质浓度比体内还要低,如图⒋24(d)所示,镓就是属于这种类型的杂质。

    对于Κ=1,而且也没有杂质从⒊02表面逸散的情况,热氧化过程也同样使硅表面杂质浓度降低。这是因为一个体积的硅经过热氧化之后转变为两个多体积的sG,因此,要使界面两边具有相等的杂质浓度(Κ=l),杂质必定要从高浓度硅中向低浓度⒊O2中扩散,也就是说,硅中要消耗一定数量的杂质,以补偿增加的⒏o2体积所需要的杂质。