为了解释线性速率常数与硅表面晶向的关系,有人提出了ˉ个模型。根据这KS0106Q个模型,在二氧化硅中的水分子和⒏/SiO2界面的s―⒊键之间能直接发生反应。在这个界面上的所有的硅原子,一部分和上面的氧原子桥联,一部分和下面的硅原子桥联,这样氧化速率与晶向的关系就变成了氧化速率与氧化激活能和反应格点的浓度的关系了。在s闷Q界面上,任何一个时刻,并不是处于不同位置的所有硅原子对氧化反应来说都是等效的,也就是说不是所有硅原子与水分子都能发生反应生成so。

   而反应格点浓度又与在一定时问内参加反应的有效s―s键密度有关。由于表面价键是有方向性的,它的有效性又和价键与表面的夹角有关,夹角越小,就越容易发生反应生成⒊O2,还应考虑到下一层晶面中的原子部分地被上层晶面的相邻原子所掩蔽。另外,水分子与硅原子相比是很大的,当水分子与某些角度的⒊―⒏键反应时,就可能挡住邻近的⒏―⒏键同其他水分子反应。水分子对邻近水分子的掩蔽作用和其他一些几何影响叫做空问位阻(stc・rlc Hindrance)。空间位阻是指分子内部基团在空间排布造成的相互排斥作用,它使分子构型、对称性、反应活性等发生变化,会导致高激活能,而且也使氧化速率的大小依赖于硅表面的取向。对于干氧氧化,也存在位阻现象。