图形的漂移与畸变既相关联,又有区别。图形漂移程度随偏离角度的增大而增大,而图形MAX202CWE畸变程度则随偏离角度的增大而减小。外延层越厚,漂移和畸变程度都增大。

   外延层的生长并非垂直于生长表面,在表面外延过程中,硅原子在衬底表面迁移,迁移到有转折台阶的结点位置时停留并形成化学键。外延微观生长过程和衬底直接相关,且随衬底取向不同而不同。当衬底掩埋图形是长方形时,凹陷的图形就有4个侧壁,这4个侧壁之间的晶向各不相同,与衬底晶向也不相同,其生κ速率也就不同。而且在外延过程中,S⒈C卜H硅源系统中氯类物质对硅衬底的腐蚀速率也是各向异性的。氯类物质的存在是导致图形漂移和畸变的必要条件。外延生长衬底的高温引起的掩埋层界面杂质的纵向和横向扩散也使外延过程复杂化。

   因此,外延图形的漂移和畸变现象是多重因素共同作用造成的。主要因素有衬底取向、生长速率和温度,以及硅源等。