这里简要介绍一些典型的红外探测器的基本特点。     .

   1)HgCdTe探测器

   HgCdTe材料有较宽的光谱覆盖范围,其光谱适应性直接与它能生长的合金组分有关, FAN7888MX这样可对某特定波长的响应最优化。光伏HgCd%器件的波长一般小于12um,对于3um~5um中波红外应用,可以在175K~⒛0K温度下工作。这样可以采用热电制冷。对于短波红外应用,可以在更高的温度下工作,甚至室温或室温以上。光伏H匹dTe量子效率较高,不加抗反射镀层的量子效率已超过甾%。HgCdTe材料适宜做红外器件材料的优良物理性质包括:

   (1)Hg1~≈Cd凭Te是二元化合物CdTe和HgTe的连续固溶体,其中CdTe是半导体,禁带宽度约1.6eⅤ(77Κ),H「e是半金属,禁带宽度约-0.3eⅤ(77Κ),在一定温度下,组分“决定了材料的禁带宽度,通过调节冗值可得到不同的禁带宽度(Eg),其值可以从0eⅤ到1.6eⅤ连续变化,这几乎覆盖了所有重要红外大气窗口的响应波段;

   (2)HgCdTe材料的电子有效质量小而本征载流子浓度低,故反向饱和电流小,探测器噪声低,探测率高;

   (3)HgCdTe材料的介电常数小,减小了器件电容,提高了频率响应;

   (4)H匪d%材料的电子迁移率高;

   (5)H四dTe材料的载流子寿命长;

   (6)H匪dTe材料的本征跃迁,吸收系数大,量子效率高;

   (7)HgC/dTe材料的表面生长的氧化物化学稳定,可得到表面态密度低的半导体氧化物界面;

   (8)HgCdTe材料热膨胀系数较接近硅,易于制造与硅CCD混成的阵列器件。