OCVD工艺日益受到人们的广泛重视,主要是由于它具有下列一些显著的特点:

   ①可以通过精确控制各种气体的流量来控制外延层的成分、导电类型、载流子MAX1858EEG-T浓度、厚度等特性,可以生长薄到零点几纳米到几纳米的薄层和多层结构。

   ②同其他外延置艺相比,可以制备更大面积、更均匀的薄膜。

   ③有机源特有的提纯技术使得MC)C`①技术比其他半导体材料制备技术获得的材料纯度提高了一个数量级。

   ④晶体的生长速率与Ⅲ族源的供给量成正比,因而改变输运量,就可以大幅度地改变外延生长速率(0.05~1um/min)。

   ⑤M(￡VD是低压外延生长技术。因为压力较低,提高了生长过程的控制精度,能减少自掺杂;有希望在重掺衬底上进行窄过渡层的外延生长,能获得衬底/外延层界面杂质分布更陡的外延层;便于生长InP、GaInAsP等含Ill组分的化合物外延层。

   但是,MOC、0工艺涉及复杂化学反应,存在使用有毒气体(AsH3、PH3)等问题。