MBE具有其他外延生长技术所不具各的诸多特点,包括:①容易形成高纯的单晶薄膜, H9TQ64ABJTMCUR-KUM主要由于超高真空系统和高纯的前驱物束流;②分子束外延生长速率慢(约001~1nlh/s),低的生长速度有利于精确控制生长界面的平整度;③可随意改变外延层的组分和掺杂浓度分布,生长具有突变界面的异质结构;④具有极好的膜厚可控性,可实现单原子(或分子)层外延;⑤超高真空环境有利于实现原位观察和实时监测。MBE技术最大的不足之处在于生长速率较慢,对于外延层较厚器件(如LED),其生长时间较长,不能满足大规模生产的要求。MBE技术目前主要用于生长原子级精确控制的超薄多层二维材料和器件,如超晶格、量子阱半导体微结构材料、掺杂异质结、高电子迁移率晶体管等。