AlGaInP半导体材料的化学式为(A1Ga1~)05h05P,可用于制备高亮度红光(波长ω5nm)、 A1280APG176M橙光(波长610nm)和黄光(波长590nm),是当今在这个波长范围内高亮度激光管和发光二极管的主要材料。GaInP材料是由hP和GaP组成的合金半导体材料,禁带宽度为1,9cV左右,它能够产生红色激光,被广泛用于DVD和激光笔指示器。GaO5In0`因其晶格常数与G献s衬底材料的晶格常数相匹配而成为GaInP合金半导体材料中最重要的一种。Al的加入取代了GaInP晶体中Ga的位置,但不会改变材料的晶格常数。当Al含量增加(豸增大)时,A⒑aInP半导体材料的禁带宽度增加,发射波长变短,出现橙色和黄色发射。然而,当(A1Ga1~)o5In0`中Al的含量继续增加时(达到x=053),材料由直接带隙结构变成间接带隙结构,发光效率迅速下降。因此,AlGaInP材料一般不适合制备发射波长小于570nm的器件。通过采用特殊结构,AlGaInP半导体二极管能够实现波长为568~573nm的高亮度黄绿光发射,其亮度远高于现有的GaP绿色LED。

   目前,AlGaInP四元系发光二极管一般使用GaAs作为衬底,由于GaAs衬底的禁带宽度比AlGaInP窄,有源区所产生的向下发射的光子将被衬底吸收,使得发光效率大幅度降低。为避免衬底吸收红光,提高发光效率,通常在GaAs衬底前生长一层分布布拉格反射

层(DBR),以反射射向衬底的光。但是DBR反射层仅对法线较小角度((20°)的光线有效,所以仅仅添加DBR反射层对光效提高有限。现有的AlGaInP器件结构中一般加入具有良好导电性的电流分散层来增加少n结面的发光面积,进一步采用多量子阱(MQW)、GaP透明衬底以及垂直芯片结构等技术使得AlGaInP器件性能大为改善。