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提高开口率技术

发布时间:2016/10/18 22:24:36 访问次数:1976

   开口率指TFT型LCD显示屏光透过部分和不透过部分之比,开口率越大,亮度越高。EL1508CLZ影响开口率的主要因素是栅和源总线宽度、T叫尺寸、上下基板对盒精度、存储电容尺寸及黑矩阵尺寸等。为了提高开口率,可采取以下办法:将黑白矩阵和彩膜都做在TFT基板上,此办法避免了对盒精度引起的开口率下降,但成品率不高,成本也相应加大;栅源总线采用集成电路微加工技术,⒛世纪9O年代,TⅢ矩阵微加工约10um,开口率为35%,微加工达到5um时,开口率为SO%;采用自对准光刻技术,主要是消除栅极和源漏极重迭形成的寄生电容,用自对准光刻技术,把栅电极作为掩膜板,光刻n+a一⒊和源漏电极, 以减少栅源电极之间的重迭;改善栅源材料,为了增加开口率,应尽量将`总线宽度取小,但要考虑由于J总线电阻过大,输入信号延迟,驱动不充分,从而降低对比度的问题,通常采用⒍或MoTa金属包~ql的办法,这样就能得到低电阻总线。

   开口率指TFT型LCD显示屏光透过部分和不透过部分之比,开口率越大,亮度越高。EL1508CLZ影响开口率的主要因素是栅和源总线宽度、T叫尺寸、上下基板对盒精度、存储电容尺寸及黑矩阵尺寸等。为了提高开口率,可采取以下办法:将黑白矩阵和彩膜都做在TFT基板上,此办法避免了对盒精度引起的开口率下降,但成品率不高,成本也相应加大;栅源总线采用集成电路微加工技术,⒛世纪9O年代,TⅢ矩阵微加工约10um,开口率为35%,微加工达到5um时,开口率为SO%;采用自对准光刻技术,主要是消除栅极和源漏极重迭形成的寄生电容,用自对准光刻技术,把栅电极作为掩膜板,光刻n+a一⒊和源漏电极, 以减少栅源电极之间的重迭;改善栅源材料,为了增加开口率,应尽量将`总线宽度取小,但要考虑由于J总线电阻过大,输入信号延迟,驱动不充分,从而降低对比度的问题,通常采用⒍或MoTa金属包~ql的办法,这样就能得到低电阻总线。

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