反应方程式如下:

   低温区(800~900℃)反应:Ga(l)+HCl(g)→GaCl(g)+1/2H2(g)

高温区(10O0~l100℃)反应:Gacl(g)+NH3(g)→GaN(s)+HCl(g)+H2(g)在异质外延生长中, H9TP26A8JDACNR-KGM由于晶格失配和热失配问题导致GaN夕卜延层存在较大的应力和较高的的位错密度。为了提高GaN基半导体材料的质量,最好的方法是采用GaN同质衬底进行外延生长。自支撑G瘀衬底是利用HVPE技术在蓝宝石或其他衬底材料上,快速生长成厚GaN膜(丬O0um),然后利用机械抛光或激光剥离技术去掉蓝宝石衬底,形成厚膜C.aN衬底。

   金属有机化学气相沉积(MOCVD)

   金属有机化学气相沉积又被称为金属有机气相外延(MOVPE,Metal organicˇ即orPhase Epitaxy),是一种非平衡生长技术,利用Ⅲ族(或Ⅱ族)金属有机化合物热分解后与V族(或Ⅵ族)氢化物反应,在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V族,Ⅱ-Ⅵ族化合物半

导体及其多元固溶体的薄层单晶材料。