GaP化合物半导体中具有间接带隙结构,300K时的禁带宽度为2,2⒍V(见表5-2)。从⒛世纪ω年代开始GaP材料被广泛地用于制造低成本、 A1225APQ100C中低亮度的红色、橙色和黄绿色发光二极管。间接跃迁的半导体发光几乎均与杂质相关,纯的GaP发光二极管发射波长为555nm的绿光,氮掺杂的GaP发光二极管发射波长为565nm的黄绿光,氧化锌的掺杂使得其发射波长为⒛Onm的红光(如图5-4所示)。进一步的研究阐明了杂质掺杂(氮和氧化锌)促进间接带隙结构的GaP材料产生高效绿色发光的原因。在氮掺杂的GaP晶体中,杂质原子N取代了基体原子P的位置,由于氮和磷同为V族元素,它们的价电子数目相同,是等电性的。然而,N的电负性(3,0)远高于P的电负性(2,1),在N取代晶格中的P后,N原子对电子具有更强的俘获能力,可吸引一个导带的电子而成为负离子。尔后由于库仑力的作用再俘获空穴形成束缚激子(电子一空穴对被带电中心束缚),这就是等价电子所形成等电子陷阱。由于束缚激子被限制在很小的范Fal内,囚此具有比较大的复合概率,可产生有效的近带隙复合辐射。由于束缚激子中只包括电子和空穴,不易把能量传递给其他电子而产生俄歇过程,因而等电子陷阱发光可以获得较高的发光效率。