为什么金属具有良好的塑性,
发布时间:2016/11/1 20:43:06 访问次数:3058
1.为什么金属具有良好的塑性,而共价晶体一般硬而且脆?
2.虽然空间点阵仅可能有14种,为什么M25P40VMN6TPB晶体结构是无限多的?
3.分别采用费米能级和载流子漂移与扩散的观点解释PN结空间电 荷区的形成。
4.在pn结中一般都采用了耗尽层近似。实际上载流子在所谓的耗尽区内并未严格耗尽,载流子浓度在耗尽区边界附近也是逐渐过渡的。以n区导带底势能为0,势垒高度为‰,对任意pn结,在耗尽层中,依次取势能为‰/10,3冫0/10和5‰/10的位置,计算它们的电子和空穴浓度分别与n区电子和p区空穴的比值。分析耗尽层近似的适用性。
5,CIaNˉ基LED在大电流密度驱动时发光效率明显降低,被称为Efflciellcy droop现象。一些实验表明俄歇复合是导致这种现象的原因之一。为了抑制俄歇复合,有人建议用双异质结构代替多量子阱结构。试分析改用双异质结构对LED发光效率的利弊。
1.为什么金属具有良好的塑性,而共价晶体一般硬而且脆?
2.虽然空间点阵仅可能有14种,为什么M25P40VMN6TPB晶体结构是无限多的?
3.分别采用费米能级和载流子漂移与扩散的观点解释PN结空间电 荷区的形成。
4.在pn结中一般都采用了耗尽层近似。实际上载流子在所谓的耗尽区内并未严格耗尽,载流子浓度在耗尽区边界附近也是逐渐过渡的。以n区导带底势能为0,势垒高度为‰,对任意pn结,在耗尽层中,依次取势能为‰/10,3冫0/10和5‰/10的位置,计算它们的电子和空穴浓度分别与n区电子和p区空穴的比值。分析耗尽层近似的适用性。
5,CIaNˉ基LED在大电流密度驱动时发光效率明显降低,被称为Efflciellcy droop现象。一些实验表明俄歇复合是导致这种现象的原因之一。为了抑制俄歇复合,有人建议用双异质结构代替多量子阱结构。试分析改用双异质结构对LED发光效率的利弊。
上一篇:多量子阱结构虽然抑制了载流子溢出
热门点击
- 异质结概念
- 外加电场下半导体的能带图
- 通常用表面复合速率Rs表示表面复合快慢
- 为什么金属具有良好的塑性,
- 辉光放电的基本特性
- 气相外延(VPE)
- 半导体发光材料条件
- 简并半导体及能带
- CRT的基本结构
- 0LED屏幕的应用
推荐技术资料
- 业余条件下PCM2702
- PGM2702采用SSOP28封装,引脚小而密,EP3... [详细]