DS18B20内部结构
发布时间:2016/10/24 22:11:04 访问次数:1129
DS18B20内部结构
图10-⒛所示为DS1820的内部框图,采用3脚PR-35封装或8脚SOIC封装,主要MSL2010-IN包括:寄生电源,温度传感器,“位激光RoM单线接口,存放中间数据的高速暂存器(内含便笺式RAM),用于存储用户设定的温度L下限值的TH和TL触发器存储与控制逻辑,8位循环冗余校验码(CRC)发生器等。
图10-⒛ DS18B⒛内部结构框图
DS18B20内部结构
图10-⒛所示为DS1820的内部框图,采用3脚PR-35封装或8脚SOIC封装,主要MSL2010-IN包括:寄生电源,温度传感器,“位激光RoM单线接口,存放中间数据的高速暂存器(内含便笺式RAM),用于存储用户设定的温度L下限值的TH和TL触发器存储与控制逻辑,8位循环冗余校验码(CRC)发生器等。
图10-⒛ DS18B⒛内部结构框图
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