掺杂浓度对氧化率的影响随着掺杂物的类型及浓度的不同而变化。通常来讲，高掺杂区比低掺杂区氧化得更快。 A2919SLBTR-T高浓度磷掺杂区是不掺杂区氧化率的2—5倍6i。

   可是，掺杂氧化影响在线性阶段（薄氧化层）表现得更为显著。

   氧化杂质：特定的杂质，特别是氯化氢( HCl)中的氯，被包含在氧化环境中（见7.4节）。这些杂质对生长率有影响。在有氯化氢的情况下，生长率呵提高1%到5%引。

   多晶硅氧化：多晶硅的导体和栅极是大多数MOS器件或电路的特性。器件或电路工艺要求多晶硅氧化。与单晶硅相比，多晶硅可以更快、更低或相似。一些和多晶硅形成有关的因素会影响接下来的氧化。这些因素包括多晶硅淀积方法、淀积温度、淀积压力、掺杂的类型和浓度，以及多晶硅的晶体结构。

   差值氧化率及氧化台阶：经过器件或电路制造工艺的初始氧化后，晶圆表画的条件会有所不同，有些是场氧化的，有些是掺杂的，有些是多晶硅区，等等。每个区有不同的氧化率并依赖不同的条件氧化厚度会增加。氧化厚度的不同称为差值氧化( differential

oxidation)。以MOS晶圆上的氧化为例，在相邻的经过轻度掺杂的漏极和源极，形成的多晶硅栅极，可以导致在栅极上的氧化层比较厚，这是因为二氧化硅在多晶硅上生长得比较快。